Wyróżniony obraz z czterema kwadrantami Si PIN

Czterokwadrantowy PIN Si

Model: GT111/GT112/GD3250Y/GD3249Y/GD3244Y/GD3245Y/GD32413Y/GD32414Y/GD32415Y

Krótki opis:

Składa się z czterech takich samych jednostek fotodiody Si PIN, która działa w trybie odwróconym i zapewnia wysoką czułość w zakresie od UV do NIR.Szczytowa długość fali odpowiedzi wynosi 980 nm.Czułość: 0,5 A/W przy 1064 nm.

być cytowanym Pobierać

Parametr techniczny

Tagi produktów

Cechy

Niski prąd ciemny
Wysoka odpowiedź
Dobra spójność kwadrantu
Mały obszar niewidomych

Aplikacje

Naprowadzanie laserowe, celowanie i śledzenie
Do urządzenia eksploracyjnego
Laserowe mikropozycjonowanie, monitorowanie przemieszczeń i precyzyjne systemy pomiarowe

Parametr fotoelektryczny（@Ta=25℃）

Przedmiot #	Kategoria pakietu	Średnica powierzchni światłoczułej (mm)	Zakres odpowiedzi widmowej (nm)	szczytowa długość fali odpowiedzi	Odpowiedzialność λ=1064 nm (kV/W)	Prąd ciemny (nA)	Czas wschodu λ=1064 nm R_L=50Ω(ns)	Pojemność złącza f=1MHz (pF)	Napięcie przebicia （V）
GT111	DO-8	Ф4	400～1100	980	0,3	5 (V_R=40V)	15 (V_R=40V)	5 (V_R=10V)	100
GT112		Ф6				7 (V_R=40V)	20 (V_R=40V)	7 (V_R=10V)
GD3250Y		Ф8				10 (V_R=40V)	25 (V_R=40V)	10 (V_R=10V)
GD3249Y	DO-20	Ф10				15 (V_R=40V)	30 (V_R=40V)	15 (V_R=10V)
GD3244Y	TO-31-7	Ф10			0,4	20 (V_R=135V)	20 (V_R=135V)	10 (V_R=135V)	300
GD3245Y	TO-31-7	Ф16				50 (V_R=135V)	30 (V_R=135V)	20 (V_R=135V)
GD32413Y	MBCY026-P6	Ф14				40 (V_R=135V)	25 (V_R=135V)	16 (V_R=135V)
GD32414Y	DO-8	Ф5.3	400～1150		0,5	4,8 (V_R=140V)	15 (V_R=140V)	4,2 (V_R=140V)	≥300
GD32415Y	MBCY026-W7W	Ф11.3	400～1150		0,5	≤20(V_R=180V)	20 (V_R=180V)	10 (V_R=180V)	≥300