Wyróżniony obraz fotodiody Si PIN 1064 nm

Fotodioda Si PIN 1064nm

Model: GT102Ф0.2/GT102Ф0.5/GT102Ф1/GT102Ф2/GT102Ф4/GD3310Y/GD3217Y

Krótki opis:

Jest to fotodioda Si PIN, która działa z polaryzacją wsteczną i zapewnia wysoką czułość w zakresie od UV do NIR.Szczytowa długość fali odpowiedzi wynosi 980 nm.Czułość: 0,3 A/W przy 1064 nm.

być cytowanym Pobierać

Parametr techniczny

Tagi produktów

Cechy

Oświetlona konstrukcja z przodu
Niski prąd ciemny
Wysoka odpowiedź
Wysoka niezawodność

Aplikacje

Komunikacja światłowodowa, wykrywanie i zasięg
Detekcja optyczna od UV do NIR
Szybkie wykrywanie impulsów optycznych
Systemy sterowania dla przemysłu

Parametr fotoelektryczny（@Ta=25℃）

Przedmiot #	Kategoria pakietu	Średnica powierzchni światłoczułej (mm)	Zakres odpowiedzi widmowej (nm)	Szczytowa długość fali odpowiedzi (nm)	Responsywność (A/W) λ=1064 nm	Czas wschodu λ=1064 nm V_R=40V R_L=50Ω(ns)	Prąd ciemny V_R=40V (nA)	Pojemność złącza V_R=40V f=1MHz (pF)	Napięcie przebicia （V）
GT102Ф0.2	Koncentryczny typ II,5501,TO-46 Typ wtyczki	Ф0,2	4～1100	980	0,3	10	0,5	0,5	100
GT102Ф0,5		Ф0,5				10	1.0	0,8
GT102Ф1		Ф1.0				12	2.0	2.0
GT102Ф2	DO-5	Ф2.0				12	3.0	5.0
GT102Ф4	DO-8	Ф4.0				20	5.0	12.0
GD3310Y	DO-8	Ф8.0				30	15	50
GD3217Y	DO-20	Ф10.0				50	20	70